留下参数备用，免得每次更新后还得自己扒BIOS算。

不会手动改内存小参的可以看 https://www.bilibili.com/video/av377984349

本人情况，原厂镁光E-die，颗粒代号D9ZFV，原厂时序22-22-22-52@3200Mhz，默认配置为3200 Gear2

开启内存增强（即关闭SA-GV，强制Gear1），手动修改内存小参后如下。

不修改电压的情况下，稳定运行在时序 19-19-19-43@100Mhz*32上，TM 777过测，据说是可以 17-18-18-34 过测的，但是懒得试了。。平时也不怎么打游戏，够用就行

详细北桥参数

延迟测试，还跑了一堆其他东西，看一乐，冷机测内存延迟大概在68ns左右。

RU修改UEFI教程就不重复了，主要说几个参数内存地址。

以下参数地址只保证对Y9000K的33ww到47ww BIOS有效，其他版本bios自行确认参数地址是否一致。

SaSetup菜单下

MemoryProfile 内存预设 0x13B 位置，填1

MemoryReferenceClock 内存外频 0xC 位置，填1。一般来说不追求高频的情况下，这个外频和系统总线频率选一致，100就行

MemoryRatio 内存倍频 0xE 位置，填0x20（十六进制，对应十进制32）

然后三个第一时序

tCL 位置 0x10，填0x13（对应十进制19）

tRCD/tRP 位置 0x16，填 0x13（对应19）

tRAS 位置0x14，填 0x2B（对应43）

如果有讲究的可以再压一下tRFC，默认是560，镁光这条子据说可以压到430-480。

第二和第三时序懒得动了，能用就行。3200G2打游戏真的FPS乱跳太劝退了。